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產(chǎn)品中心

Product Center

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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)
    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm~7...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm)
    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射550±10nm)

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm~7...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm)
    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm)

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm~7...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm)
    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射480±10nm)

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm~7...

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  • 油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm)
    油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm)

    油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm...

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  • 油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm)
    油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm)

    油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm...

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  • 油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射400±10nm)
    油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射400±10nm)

    油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為80%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm...

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  • 水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射820±10nm)
    水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射820±10nm)

    本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,可連接帶有氨基的抗體蛋白等;(3)表面為...

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  • 水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射800±10nm)
    水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射800±10nm)

    本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,可連接帶有氨基的抗體蛋白等;(3)表面為...

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  • 水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射760±10nm)
    水溶性氨基PEG包覆CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射760±10nm)

    本公司目前可提供四類水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn):(1)表面為負(fù)電荷的羧基,3-巰基丙酸作為包覆劑;(2)表面為負(fù)電荷的羧基,含有PEG鏈,生物相容性優(yōu)良,可連接帶有氨基的抗體蛋白等;(3)表面為...

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