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產(chǎn)品中心

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  • 油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射480±10nm）
    油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射480±10nm）

    油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)400n...

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  • 油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射460±10nm）
    油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射460±10nm）

    油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)400n...

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  • 油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射440±10nm）
    油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射440±10nm）

    油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)400n...

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  • 油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射420±10nm）
    油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射420±10nm）

    油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)400n...

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  • 油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射400±10nm）
    油溶性鈣鈦礦量子點（發(fā)射400±10nm）

    油溶性鈣鈦礦量子點產(chǎn)品是以CsPbX3（X=Cl、Br、I），表面由疏水配體包裹的熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，溶劑為正己烷，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)400n...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射750±10nm）
    油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射750±10nm）

    油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm～7...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射700±10nm）
    油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射700±10nm）

    油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm～7...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射650±10nm）
    油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射650±10nm）

    油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm～7...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射620±10nm）
    油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射620±10nm）

    油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm～7...

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  • 油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射600±10nm）
    油溶性InP/ZnS量子點（發(fā)射600±10nm）

    油溶性InP/ZnS量子點產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm～7...

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