油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)6...
查看詳情
產(chǎn)品中心
Product Center
熱門搜索：嵌段共聚物 PEG衍生物 上轉(zhuǎn)換納米顆粒 磷脂脂質(zhì)體 納米材料 熒光染料等
當(dāng)前位置：首頁(yè)
產(chǎn)品中心
product
產(chǎn)品分類15867115943
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)6...
查看詳情
本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)，可應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、發(fā)光器件與生物熒光標(biāo)記等領(lǐng)域。油溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射800±10nm）
查看詳情
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)6...
查看詳情
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)6...
查看詳情
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)6...
查看詳情
油溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)6...
查看詳情
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～640nm任一波長(zhǎng)不...
查看詳情
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～640nm任一波長(zhǎng)不...
查看詳情
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～640nm任一波長(zhǎng)不...
查看詳情
油溶性CdSe量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～640nm任一波長(zhǎng)不...
查看詳情