水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射750...
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本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射700...
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本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。目前可提供表面為羧基或者氨基，3-巰基丙酸（MPA）和PEG作為包覆劑。水溶性羧基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射650...
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水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～7...
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