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產(chǎn)品中心

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  • 油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm)

    油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)400nm~650nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射440±10nm)

    更新時(shí)間:2024-09-10
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • 油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm)

    油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)400nm~650nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射420±10nm)

    更新時(shí)間:2024-09-10
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  • 油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射400±10nm)

    油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,溶劑為正己烷,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)400nm~650nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性鈣鈦礦量子點(diǎn)(發(fā)射400±10nm)

    更新時(shí)間:2024-09-10
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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射750±10nm)

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm~750nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射750±10nm)

    更新時(shí)間:2024-09-10
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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm)

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心,ZnS為殼層,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為60%,儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm~750nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射700±10nm)

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